MOS管在導(dǎo)通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。

以840的參數(shù)計算，假定門極電壓10V，那么電容量為63nC/10V=6.3nF。與10千歐放電電阻時間常數(shù)為63us。但是，不是經(jīng)過一個時間常數(shù)之后MOS管就關(guān)斷了，而是門極電壓下降到Vg(th)以下MOS管才會關(guān)斷。這段時間與MOS管型號有關(guān)，與門極充電達(dá)到的電壓有關(guān)(實際上門極電容并不是線性電容)，不太準(zhǔn)確的估計，可以把門極電容放電時間估計為63us的2倍，即0.12ms。MOS管門極充電電阻較小(首帖圖中為3千歐)，估計充電時間為0.06ms。那么充電放電時間一共是0.18ms。該MOS管在此電路中最大開關(guān)工作頻率為5.5kHz。

二、MOS管開關(guān)電路

下為一張典型的N溝道增強(qiáng)型MOS管開關(guān)電路原理圖：

D1作用：續(xù)流二極管

R1作用：

1、限流電阻，減小瞬間電流值：MOS管屬于壓控型器件，兩兩引腳之間存在寄生電容（Cgs、Cgd、Cds）:

規(guī)格書中一般會標(biāo)注Ciss、Coss、Crss：

Ciss = Cgs + Cgd

Coss = Cds + Cgd

Crss = Cgd

如圖Ciss=587pF，假設(shè)VGs=24V，dt=Tr（上升時間）=20ns，則MOS管在開關(guān)時的瞬間電流I = Ciss * dVgs / dt = 0.7A

當(dāng)在柵極串接一個電阻（幾Ω~上千Ω）時，會與Ciss形成RC充放電回路，從而減小瞬間電流值

2、調(diào)節(jié)MOS管的通斷速度，有利于控制EMI：同時，加上R1后，MOS管開關(guān)頻率測算MOS管通斷切換時間會變慢，有利于控制EMI；但是如果串接的電阻太大，會導(dǎo)致柵極達(dá)到導(dǎo)通電壓的時間變長，也就是說MOS管處在半導(dǎo)通狀態(tài)的時間太長，此時MOS管內(nèi)阻較大，Rds->Rdson的時間比較長，Rds會消耗大量的功率，可能導(dǎo)致MOS管因發(fā)熱而損壞

3、抑制柵極振蕩：

MOS管接入電路后，引入引線寄生電感，會與寄生電容形成LC振蕩電路，對于方波這種開關(guān)波形信號來說包含很多頻率成分：

那么就可能在某個諧振頻率相同或者相近時形成串聯(lián)諧振電路，串接一個電阻后會減小振蕩電路的Q值，從而使振蕩快速衰減

R2作用：

1、G極對地電阻（一般5KΩ~數(shù)十KΩ），通過下拉為MOS管提供一個固定偏置，避免當(dāng)IC驅(qū)動口處于高阻態(tài)的情況下G極受到干擾信號使MOS管意外導(dǎo)通

2、泄放電阻，通過這個電阻泄放掉G-S之間的少量靜電（G-S之間的電阻很大很大，少量的靜電就能通過G-S之間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓，此時由于RGS很大，感應(yīng)電荷難以釋放，以致于高壓將MOS管很薄的絕緣層擊穿，損壞MOS管）從而保護(hù)MOS管，如果沒有這個電阻，MOS管容易受到外界干擾意外導(dǎo)通燒壞，此外在MOS管工作不斷開通關(guān)斷的時候?qū)纳娙葸M(jìn)行適當(dāng)?shù)姆烹娨员Ｗo(hù)MOS管
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