可控硅設(shè)計(jì)知識(shí)要點(diǎn)進(jìn)行總結(jié)：
可控硅類(lèi)別：
a. 單向可控硅：門(mén)極帶阻靈敏型單向可控硅、門(mén)極靈敏型單向可控硅、標(biāo)準(zhǔn)型單向可控硅······
b. 雙向可控硅：標(biāo)準(zhǔn)型雙向可控硅、四象限雙向可控硅、洗衣機(jī)專(zhuān)用雙向可控硅、高結(jié)溫雙向可控硅、瞬態(tài)抑制型雙向可控硅······
c. 電力電子可控硅：電力電子可控硅模塊芯片、電力電子可控硅模塊組件
可控硅等效結(jié)構(gòu)：
單向可控硅
雙向可控硅
對(duì)于一個(gè)可控硅，主要看其5個(gè)參數(shù)：
額定平均電流、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流、 正向阻斷峰值電壓、反向阻斷峰值電壓
經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)1：該電路能否將燈點(diǎn)亮？
解析：不能，由于控制可控硅關(guān)斷的1,3引腳沒(méi)有通路，無(wú)觸發(fā)電流
經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)2：該電路負(fù)載通斷不受MOC3021控制？
解析：不受控制，對(duì)于交流電，可以不經(jīng)過(guò)MOC3021而直接流過(guò)可控硅的1,3引腳使其處于控制極導(dǎo)通狀態(tài)
理解可控硅的“象限”——
1、為何需要有“象限”這個(gè)概念？“象限”通用命名法？（個(gè)人認(rèn)為：對(duì)于象限概念的提出，是為了更好地描述、理解可控硅的特性，就如同笛卡爾引入直角坐標(biāo)系是為了更好地描述二維數(shù)據(jù)）
2、如何區(qū)分不同象限可控硅？
第一象限：MT2+ Igt+
第二象限：MT2+ Igt-
第三象限：MT2 - Igt-
第四象限：MT2 - Igt+
可控硅從導(dǎo)通到底關(guān)斷的條件？
1、單獨(dú)撤去控制極電壓；
2、MT1，MT2電流小于導(dǎo)通維持電流。
注意：可控硅MT1、MT2流過(guò)的電流小于導(dǎo)通維持電流時(shí)，可控硅關(guān)斷，但是單獨(dú)撤去可控硅控制極電壓時(shí)，需等到第2個(gè)條件滿(mǎn)足時(shí)才會(huì)關(guān)斷
一個(gè)改進(jìn)型的可控硅例子
可控硅設(shè)計(jì)十條黃金規(guī)則
1.為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門(mén)極電流≧IGT ，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL 。這條件必須滿(mǎn)足，并按可能遇到的最低溫度考慮；
2.要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須
3. 設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限（WT2-，+）；
4. 為減少雜波吸收，門(mén)極連線長(zhǎng)度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極），若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門(mén)極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H 系列低靈敏度雙向可控硅；
5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問(wèn)題，在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問(wèn)題，加入一幾mH 的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com 雙向可控硅；
6. 假如雙向可控硅的VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV 跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路；
7. 選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力；
8. 若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通；
9. 器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。；
10.為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。
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