本文介紹了一些在系統(tǒng)中采用低端驅(qū)動器的常見應(yīng)用。這些電源變壓器的驅(qū)動器涉及隔離的柵極MOSFET。將包括必要的計算以及圖形數(shù)據(jù)，以更好地展示所做的評估。
在許多中低功率應(yīng)用中，低側(cè)（接地參考）MOSFET由PWM控制IC的輸出引腳驅(qū)動，以切換感性負載。如果PWM輸出電路可以以可接受的開關(guān)時間驅(qū)動MOSFET而不會耗散過多功率，則此解決方案是可以接受的。
隨著系統(tǒng)功率需求的增長，開關(guān)和相關(guān)驅(qū)動電路的數(shù)量也隨之增加。隨著控制電路復(fù)雜度的增加，由于接地和噪聲問題，IC制造商省略板載驅(qū)動器變得越來越普遍。
當重要的是提高效率和提高電源VIN密度時，越來越多地使用同步整流器（SR）代替標準整流器。隔離式功率級通常在每個整流支路中提供數(shù)十安培的電流，以并聯(lián)兩個或多個低阻MOSFET，這些器件需要電流脈沖達到幾安培才能在所需的100ns以下時間切換器件。
外部驅(qū)動器可以提供這些高電流脈沖，并提供一種實現(xiàn)時序以消除直通并優(yōu)化效率以控制SR操作的方法。此外，驅(qū)動器可以將邏輯控制電壓轉(zhuǎn)換為最有效的MOSFET驅(qū)動電平。
低端驅(qū)動器還用于驅(qū)動變壓器，這些變壓器提供隔離的MOSFET柵極驅(qū)動電路或跨電源隔離邊界的通信。在這些應(yīng)用中，需要驅(qū)動程序來處理特定于變壓器驅(qū)動的問題。
低端驅(qū)動程序，盡管通常將其表示為理想的電壓源，它可以提供或吸收由電路的串聯(lián)阻抗確定的電流，但實際上，驅(qū)動器可用的電流受到分立或集成電路設(shè)計的限制。
本說明從應(yīng)用程序的角度回顧了驅(qū)動程序的基本要求，然后研究了在實驗室工作臺上測試和評估驅(qū)動程序當前功能的方法。
鉗位電感開關(guān)
圖1中的簡化升壓轉(zhuǎn)換器提供了具有鉗位電感負載的典型電源電路的原理圖。當MOSFET Q導通時，輸入電壓VIN施加在電感L兩端，電流以線性方式上升，以將能量存儲在電感中。
當MOSFET關(guān)斷時，電感器電流流過二極管D1，并在電壓VDC時將能量傳遞到COUT和RLOAD。假定電感器足夠大，以在開關(guān)間隔期間保持電流恒定。
簡化的升壓轉(zhuǎn)換器
MOSFET導通成為鉗位電感負載的電路波形如圖2所示。
MOSFET在感性負載下導通
圖3表示在MOSFET導通過程的各個時間間隔內(nèi)激活的柵極電流路徑。
MOSFET導通期間的電流路徑
RG表示MOSFET內(nèi)部柵極電阻與任何串聯(lián)柵極電阻的串聯(lián)組合。RHI代表驅(qū)動器的內(nèi)部電阻，其有效值在整個開關(guān)間隔內(nèi)都會變化。
同步整流器操作
用作同步整流器（SR）的MOSFET的開關(guān)間隔與鉗位感性負載的情況明顯不同。圖4顯示了一個簡化的正激轉(zhuǎn)換器功率級，它具有一個同步整流器QSR代替了續(xù)流二極管。
簡化正激轉(zhuǎn)換器
在此示例中，控制電路生成的SR信號越過隔離邊界，以使同步整流器QSR保持導通狀態(tài)，而Q1處于斷開狀態(tài)。但是，SR信號應(yīng)命令QSR在Q1導通之前將其關(guān)閉，以向變壓器施加正電壓。圖5顯示了四個時間間隔，用于說明同步整流器的關(guān)斷順序。
SR MOSFET關(guān)斷
在關(guān)斷之前，MOSFET通過電阻通道RDS傳導負載電流IL，并且漏極至源極的電壓為負。在圖7（a）中，驅(qū)動器的輸出為低電平，并且CGD和CGS的組合在以下給定的時間間隔內(nèi)并行放電：
t_ {off} =分數(shù){Q_ {Q，SR}} {I_ {G}}
其中，將[tex] Q_ {Q，SR} [/ tex]定義為：
Q_ {Q，SR} =（C_ {GS} + C_ {GD，SR}）。V_ {DD}
離散或集成驅(qū)動器
可以使用作為預(yù)設(shè)計模塊的離散晶體管或集成電路解決方案來設(shè)計外部驅(qū)動器。要選擇解決方案，設(shè)計人員必須評估競爭的尺寸，功能，成本以及要涵蓋的應(yīng)用程序的整體范圍。無論選擇哪種驅(qū)動程序，都有一些共同的要求。
集成或離散設(shè)計的驅(qū)動器需要一個本地旁路電容器來提供在開關(guān)間隔期間傳送的高電流脈沖，并且可能在驅(qū)動器和PWM電源VDD之間包括一個電阻。
通常，驅(qū)動器靠近MOSFET柵極-源極連接時影響最大，以最大程度地減小寄生電感和電阻效應(yīng)。
可以使用雙極型晶體管設(shè)計離散解決方案，如圖6所示。NPN/ PNP圖騰柱具有由PWM輸出驅(qū)動的同相配置。該電路可防止雙極性階段的直通，因為一次只有一個圖騰柱器件可以正向偏置。
在雙極共射極配置中，驅(qū)動信號必須具有快速邊沿以提供快速切換，并且應(yīng)注意，MOSFET柵極在高電平或低電平時未歐姆連接至電源軌。
分立雙極晶體管驅(qū)動電路
圖7所示的PMOS / NMOS版本具有自然反相功能，因此需要反相器遵循PWM信號極性。該電路提供了軌到軌操作，但是直通是設(shè)計中必須考慮的問題，因為當公共柵極節(jié)點電壓處于VDD范圍的中間部分時，兩個器件都可以導通。
使用分立驅(qū)動器方法會導致更多的組件，這需要更多的PCB板空間以及更多的組裝和測試時間。較高的組件數(shù)量可能導致更多的采購成本和可靠性問題。如果輸入信號來自邏輯電路或低壓PWM，則分立驅(qū)動器需要附加電路以將邏輯電平轉(zhuǎn)換為電源驅(qū)動電平。
集成電路驅(qū)動器除了具有大的脈沖電流能力外，還具有其他重要優(yōu)勢。采用3x3mm封裝的新型集成雙驅(qū)動器和采用2x2mm封裝的單個驅(qū)動器包括用于散熱的散熱墊。
與分立式解決方案相比，這些器件所需的電路板空間更少，同時具有增強的散熱性能，因此非常適合于最密集的電源設(shè)計。集成到設(shè)備中的功能（例如使能功能和UVLO）可簡化使用并減少組件級設(shè)計。
為驅(qū)動器提供與TTL兼容的輸入閾值已成為慣例，該閾值可以接受從邏輯電平信號到器件VDD范圍的輸入。利用CMOS輸入閾值（2/3 VDD =高，1 / 3VDD =低）的驅(qū)動器可以幫助減輕噪聲問題或在驅(qū)動器的輸入端設(shè)置更準確的時序延遲。
結(jié)論
低端驅(qū)動器用于驅(qū)動功率MOSFET，其應(yīng)用包括鉗位感性負載開關(guān)，同步整流器電路和脈沖/柵極變壓器驅(qū)動電路。在重要的MOSFET開關(guān)間隔期間，已經(jīng)詳細介紹了柵極驅(qū)動電流與MOSFET開關(guān)和過渡間隔的關(guān)系。
潛在的驅(qū)動程序解決方案；包括分立組件，集成的PMOS / NMOS和復(fù)合驅(qū)動器在內(nèi)的組件均經(jīng)過檢查。強調(diào)了各種驅(qū)動器電路的一些非理想特性。
沒有一個簡單的統(tǒng)一方法來表征多種可用驅(qū)動器的輸出電流吸收和輸出能力。本注釋中介紹的測試電路可用于研究分立和集成電路驅(qū)動器的VOUT與IOUT能力，從而能夠評估和比較各種應(yīng)用中的驅(qū)動器。
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