MOS管襯底電位接法
P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊，不然通過(guò)襯底短接會(huì)影響其他NMOS的特性，因此NMOS的襯底只能接GND（低電位）；
P-SUB工藝，PMOS管的N襯底都是單獨(dú)的，因此可以將源極和襯底接一塊來(lái)減小襯偏效應(yīng)；
N-WLL工藝，PMOS的襯底都是一樣的，都是N-WELL，因此不可以將源極和襯底接一塊，不然通過(guò)襯底短接會(huì)影響其他PMOS的特性，因此PMOS的襯底只能接VDD（高電位）；
N-WELL工藝，NMOS管的P襯底都是單獨(dú)的，因此可以將源極和襯底接一塊來(lái)減小襯偏效應(yīng)；
Deep Nwell，是在PSUB工藝情況下，對(duì)NMOS管可以采取的一種隔離方式，底部是deep nwell，周?chē)莕well形成的一個(gè)環(huán)，來(lái)隔離共襯底引起的噪聲干擾。
PMOS、NMOS襯底連接
在schematic原理圖中搭建電路時(shí)，所有pmos的襯底需要接VDD，所有nmos的襯底需要接VSS。
在layout版圖中，VDD供電時(shí)，選擇的通孔類(lèi)型的M1_NW，因?yàn)镻MOS器件做在N阱中。
相對(duì)應(yīng)，VSS供電選擇的通孔類(lèi)型為M1_SUB。
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