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  • IGBT與mos管的區(qū)別,優(yōu)缺點(diǎn)介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-05-21 17:24:19
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    IGBT與mos管的區(qū)別,優(yōu)缺點(diǎn)介紹
    MOS管和IGBT都是常見的開關(guān)管,常用在開關(guān)電源、變頻器、電動(dòng)汽車等的電路板中。IGBT和MOS管的特性很相似,驅(qū)動(dòng)方法也基本相同,絕大多數(shù)場合它們都是作為電子開關(guān)來使用。
    MOS管即MOSFET,又叫絕緣柵場效應(yīng)管,是場效應(yīng)管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
    IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一,畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào),這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來判斷是IGBT還是MOS管。
    igbt和mos管的結(jié)構(gòu)
    MOS管有一個(gè)柵極、源極和漏極,其結(jié)構(gòu)如下圖所示:
    IGBT MOS管
    MOS管的工作原理基于場效應(yīng)原理和金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)MOS管的通道電阻和漏極電流,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和開關(guān)。
    IGBT結(jié)構(gòu)由n型硅襯底、p型基區(qū)、n+型集電區(qū)和MOSFET柵極構(gòu)成:
    IGBT MOS管
    與雙極晶體管類似,當(dāng)p型基區(qū)和n+型集電區(qū)間的正向電壓增大時(shí),少數(shù)載流子開始注入p型基區(qū),同時(shí)由于MOSFET柵極的控制,使得整個(gè)器件能夠更快、更準(zhǔn)確地切換。在導(dǎo)通狀態(tài)下,整個(gè)器件的電壓降很小,功耗也較低。而在截止?fàn)顟B(tài)下,器件的導(dǎo)通電阻非常大,幾乎不導(dǎo)電。
    其工作原理是結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的特點(diǎn),既有MOSFET輸入電阻低的優(yōu)點(diǎn),又有雙極晶體管輸出電流大的特點(diǎn)。
    從管腳來看,IGBT的3個(gè)管腳(正面)依次為柵極、集電極和發(fā)射極,MOS管的3個(gè)管腳(正面)依次為柵極、漏極和源極。從柵極管腳上可以看出,IGBT和MOS管都屬于絕緣柵型管,而IGBT的另2個(gè)管腳“集電極和發(fā)射極”顯然和三極管的管腳相同。
    IGBT MOS管
    igbt和mos管的區(qū)別
    結(jié)構(gòu)不同:MOS管是一種場效應(yīng)管,由柵極、漏極和源極組成,柵極和漏極之間是一個(gè)p型或n型溝道。而IGBT是由一個(gè)n型溝道和一個(gè)pnp結(jié)構(gòu)組成,它由一個(gè)門極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極組成,其中集電極和發(fā)射極之間是一個(gè)n型溝道。
    工作原理不同:MOS管的柵極電壓控制通道電阻,從而控制漏極電流;而IGBT的控制極(門極)控制n型溝道的導(dǎo)電性質(zhì),從而控制集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電阻,從而控制集電極電流。
    導(dǎo)通電阻不同:IGBT的導(dǎo)通電阻比MOS管小,因此IGBT在高壓、高電流的應(yīng)用場合中更為常用。同時(shí),IGBT在導(dǎo)通電阻小的情況下也具有較高的開關(guān)速度,因此在高頻開關(guān)應(yīng)用中也有廣泛應(yīng)用。
    驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜度不同:由于IGBT的電壓和電流的極值較大,因此需要較復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路才能確保其可靠性和穩(wěn)定性。而MOS管的驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡單。
    成本不同:MOS管的成本通常比IGBT低,因?yàn)镸OS管的制造工藝更為成熟,而IGBT的制造工藝和材料成本相對(duì)較高。
    igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn)
    MOS的應(yīng)用,在中小功率中比較占優(yōu)勢,特別是高的開關(guān)頻率。
    IGBT的應(yīng)用,在大功率應(yīng)用中占優(yōu)勢,因?yàn)閂ce在高壓大電流的時(shí)候損耗比MOS的Rdson的低。但是IGBT的開關(guān)損耗比較大,所以目前仍舊在一些中低頻應(yīng)用比較多,集中在20KHz左右。
    MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好,工作頻率高,缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大,在高壓大電流場合功耗較大;IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越,其導(dǎo)通電阻小,耐壓高。
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