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深圳市烜芯微科技有限公司
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解析開機延遲電路,MOS管多少V才能開啟
2023-05-20
解析開機延遲電路,MOS管多少V才能開啟本電路由1顆MOS管、4只電阻、發(fā)光二極管、電池組成當SW1沒有按下去的時候Q1柵極電壓為0V，Q1為截止狀
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負載開關(guān),延時電路圖文解析
2023-05-20
負載開關(guān),延時電路圖文解析延時電路延時電路一般用在對于上電時序有要求的電路以及負載開始（上電時）較大的電路而言。負載重例如較大的電
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電路設計,模擬電路實現(xiàn)延時功能介紹
2023-05-19
電路設計,模擬電路實現(xiàn)延時功能介紹模擬電路實現(xiàn)延時功能實現(xiàn)方式如下圖：一個電阻與一個穩(wěn)壓二極管相連，然后一個電容在它們連接處與它們
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電源管理,延遲上電設計介紹
2023-05-19
電源管理,延遲上電設計介紹上電順序電路中，不同的器件常常需要有不同的上電順序，比如有些FPGA需要先給3 3V的內(nèi)核供電，至少20ms后才給5V
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開關(guān)瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模解析
2023-05-19
開關(guān)瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模解析開關(guān)瞬態(tài)分析建模圖 1 顯示了處于開關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路，該
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MOSFET放大器的等效模型,工作區(qū)間,偏置介紹
2023-05-18
MOSFET放大器的等效模型,工作區(qū)間,偏置介紹MOSFET放大器信號放大為何放大：信號電壓太小，不易察覺信號功率太小，不能驅(qū)動負載傳輸過程中信
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TOLL封裝布局縮減30% 80V/240A XXW1808A
2023-05-18
TOLL封裝布局縮減30% 80V 240A XXW1808A烜芯微近期推出了幾款采用 TOLL 封裝的 NMOS 產(chǎn)品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面積縮小30％，
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射頻功率放大器調(diào)試步驟介紹
2023-05-18
射頻功率放大器調(diào)試步驟介紹射頻功放調(diào)試的步驟一般是由以下幾步構(gòu)成：STEP 1 確定芯片是否損壞這一步主要是確定板子和管子的基本狀態(tài)是
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大信號與小信號的區(qū)別與關(guān)系解析
2023-05-17
大信號與小信號的區(qū)別與關(guān)系解析下圖給出了MOS idvg idvd的圖形，可以得出不同偏置電壓情況下器件的趨勢，以及偏微分之后GmRout的電學特
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運放的信號增益與噪聲增益詳解
2023-05-17
運放的信號增益與噪聲增益詳解下面通過電路仔細分析一下噪聲增益：兩個開關(guān)都撥到上面的時候稱為CASE1，都撥到下面的時候稱為CASE2。這也就
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共源共柵級的小信號增益,放大過程介紹
2023-05-17
共源共柵級的小信號增益,放大過程介紹共源共柵級的小信號增益共源共柵級的結(jié)構(gòu)如上圖所示，忽略溝長調(diào)制效應，得到小信號等效圖如下圖所示
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判斷MOS管共源極放大器,共柵極放大器介紹
2023-05-16
判斷MOS管共源極放大器,共柵極放大器介紹最簡單的方法是，總共源，漏和柵三端，輸入接一個端，輸出接一個端，剩下的那個端是什么就是共什么